Sanja Žonja rođena je 1983. u Šibeniku, Hrvatska. 2006. godine diplomira na Fakultetu elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu. Od srpnja 2007. zapošljava se kao znanstveni novak u suradničkom zvanju asistenta na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave na projektu "Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju" pod financiranjem Ministarstva znanosti, obrazovanja i športa. Projekt je pod vodstvom doc.dr.sc. Marka Koričića. Od početka zaposlenja aktivno surađuje s Institutom Ruđer Bošković, Laboratorijem za molekularnu fiziku pod vodstvom dr.sc. Mile Ivande. 2008. godine postaje vanjskom suradnicom Instituta za fiziku gdje radi u Laboratoriju za proučavanje jako koreliranih sustava kojeg predvodi dr.sc. Miroslav Očko. U kolovozu i rujnu 2010. pohađa European School on Nanosciences and Nanotechnologies u Grenobleu, Francuska. Doktorsku dizertaciju pod nazivom "Analiza strukture, elektronskih i transportnih svojstava polikristalnih silicijskih tankih filmova" obranila je u srpnju 2013. Mentori rada su dr.sc. Mile Ivanda i doc.dr.sc. Marko Koričić. U rujnu 2013. zapošljava se na Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave (FER, Sveučilište u Zagrebu) kao znanstveni novak- viši asistent.

Njeni znanstveni interesi uključuju analizu i modeliranje sofisticiranih struktura visokodopiranih polikristalnih i amorfnih poluvodičkih tankih slojeva te njihovu potencijalnu primjenu. U dosadašnjem radu razvila je model izračuna koncentracije nosilaca iz rezultata Ramanove spektroskopije i uočila dominantno elektron-elektron raspršenje na niskim temperaturama kod visokodopiranih slojeva polikristalnog silicija što je do sad bilo karakteristično kod nekih 2D sustava.

Autorica je i koaoutorica na 8 radova indeksiranih u bazi Current Contents te na 13 radova na konferencijama s međunarodnom recenzijom.

Članica je društva IEEE i MIPRO

Popis radova

Hrvatska znanstvena bibliografija

IEEE Xplore